삼위일체 - 편집 역사

Ghkrhd111: /* 개발 과제의 배경 */

2021-06-08T10:42:52Z

‎개발 과제의 배경

Ghkrhd111: /* 포스터 */

2021-06-08T10:33:23Z

‎포스터

Ghkrhd111: /* 포스터 */

2021-06-08T10:26:39Z

‎포스터

Ghkrhd111: /* 포스터 */

2021-06-08T10:26:29Z

‎포스터

Ghkrhd111: /* 포스터 */

2021-06-08T10:26:19Z

‎포스터

Ghkrhd111: /* 개발 과제 요약 */

2021-06-08T09:59:00Z

‎개발 과제 요약

Ghkrhd111: /* 개발 과제 요약 */

2021-06-08T09:55:31Z

‎개발 과제 요약

Ghkrhd111: /* 기술개발 과제 */

2021-06-08T09:50:59Z

‎기술개발 과제

Ghkrhd111: /* 2. band gap 계산 결과 */

2021-06-08T09:50:12Z

‎2. band gap 계산 결과

Ghkrhd111: /* 1. Supercell 설정 */

2021-06-08T09:48:48Z

‎1. Supercell 설정

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 ====개발 과제의 배경====
-:전력반도체는 전기자동차, 태양광 발전 등 다양한 분야에 활용되며, 스마트폰과 태블릿 PC 등 모바일 디바이스의 급성장으로 수요가 증가하고 있다. 특히, 4차 산업혁명 시대의 도래로 인해 스마트카, 자율주행차, 로봇, 태양전지, 사물인터넷(IoT), 스마트 그리드, 항공우주, 5G 이동통신 등 관련 산업이 성장함에 따라 수요가 급격히 늘어날 것으로 예상된다.
+전력반도체는 전기자동차, 태양광 발전 등 다양한 분야에 활용되며, 스마트폰과 태블릿 PC 등 모바일 디바이스의 급성장으로 수요가 증가하고 있다. 특히, 4차 산업혁명 시대의 도래로 인해 스마트카, 자율주행차, 로봇, 태양전지, 사물인터넷(IoT), 스마트 그리드, 항공우주, 5G 이동통신 등 관련 산업이 성장함에 따라 수요가 급격히 늘어날 것으로 예상된다.
 [[파일:GaN figure1.jpg|500픽셀|섬네일|가운데|설명]]
-:전력 반도체 소자는 1960년대부터 가격이 저렴하고, 동작온도 범위가 넓으며, 산소와 반응해 자연적으로 산화막을 형성하는 장점으로 실리콘이 주로 사용되어 왔으나, 스위칭 손실, 스위칭 속도 등에 한계가 존재한다. 현대에는 이러한 한계를 극복하기 위해 보다 효율이 높으면서 소형화된 전력변환 장치가 요구된다. 따라서 기존의 실리콘 반도체를 뛰어넘는 새로운 소자의 필요성이 대두되고 있는 가운데 SiC(탄화규소, Silicon Cabide)와 '''GaN(질화갈륨, Gallium Nitride)''' 등 화합물 반도체가 부상하고 있다. 차세대 반도체 소자는 실리콘에 비해 3배 넓은 밴드갭을 가지고 있다.
+전력 반도체 소자는 1960년대부터 가격이 저렴하고, 동작온도 범위가 넓으며, 산소와 반응해 자연적으로 산화막을 형성하는 장점으로 실리콘이 주로 사용되어 왔으나, 스위칭 손실, 스위칭 속도 등에 한계가 존재한다. 현대에는 이러한 한계를 극복하기 위해 보다 효율이 높으면서 소형화된 전력변환 장치가 요구된다. 따라서 기존의 실리콘 반도체를 뛰어넘는 새로운 소자의 필요성이 대두되고 있는 가운데 SiC(탄화규소, Silicon Cabide)와 '''GaN(질화갈륨, Gallium Nitride)''' 등 화합물 반도체가 부상하고 있다. 차세대 반도체 소자는 실리콘에 비해 3배 넓은 밴드갭을 가지고 있다.
-:GaN 소자는 Si 대비 넓은 밴드 갭을 가지는 특성 외에 높은 항복전압, 낮은 온저항, 빠른 스위칭 속도 등의 특성을 가지고 있어 차세대 화학물 반도체 물질로 연구되고 있다. 시장에서는 GaN보다 SiC가 선호되고 있어 아직 GaN 기반 전력반도체 기술은 초기 단계로 아직 상용화 되지 않았다. 따라서 본 연구의 GaN의 밴드갭을 계산을 통해 목표하는 소자의 특성을 미리 계산하여 활용할 수 있을 것이다.
+GaN 소자는 Si 대비 넓은 밴드 갭을 가지는 특성 외에 높은 항복전압, 낮은 온저항, 빠른 스위칭 속도 등의 특성을 가지고 있어 차세대 화학물 반도체 물질로 연구되고 있다. 시장에서는 GaN보다 SiC가 선호되고 있어 아직 GaN 기반 전력반도체 기술은 초기 단계로 아직 상용화 되지 않았다. 따라서 본 연구의 GaN의 밴드갭을 계산을 통해 목표하는 소자의 특성을 미리 계산하여 활용할 수 있을 것이다.
 ====개발 과제의 목표 및 내용====

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 ====포스터====
-[[파일:Poster GaN, ysys.jpg|700픽셀|섬네일|가운데|]]
+[[파일:포스터gan ysys.jpg|700픽셀|섬네일|가운데|]]
 ===완료작품의 평가===

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 ====포스터====
-[[파일:Poster GaN, ysys.jpg|700픽셀|섬네일|가운데|설명]]
+[[파일:Poster GaN, ysys.jpg|700픽셀|섬네일|가운데|]]
 ===완료작품의 평가===

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 ====포스터====
-[[파일:Poster GaN, ysys.jpg|700픽셀|섬네일|왼쪽|설명]]
+[[파일:Poster GaN, ysys.jpg|700픽셀|섬네일|가운데|설명]]
 ===완료작품의 평가===

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 ===완료 작품의 소개===
 ====포스터====
-내용
 ===완료작품의 평가===

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 ===개발 과제의 개요===
 ====개발 과제 요약====
-Density functional theory(DFT) 계산을 통해 반도체 재료의 전자 구조를 밝히는 Band structure, Density of State(DOS) 연구이다. VASP 프로그램을 활용하여 intrinsic 반도체에 다양한 dopants들을 첨가하였고, GaN 물질에 대해 Mg, Si, C dopant를 첨가할 경우 밴드갭 개선이 이루어지는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구 결과를 화합물 반도체 소재의 개발에 활용할 수 있을 것이라 기대한다.
+최근 기존의 실리콘 소자를 뛰어넘는 다양한 Wide Band gap 화합물 반도체가 부상하고 있다. 따라서 그중 GaN(질화갈륨, Gallium Nitride)에 대해 Density functional theory(DFT) 계산을 통해 재료의 Band structure, Density of State(DOS)를 계산하는 연구를 진행하였다. VASP 프로그램을 활용하여 intrinsic 반도체에 다양한 dopants들을 첨가하였고, GaN 물질에 대해 Mg, Si, C dopant를 첨가할 경우 밴드갭 개선이 이루어지는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구 결과를 화합물 반도체 소재의 개발에 활용할 수 있을 것이라 기대한다.
 ====개발 과제의 배경====

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 ==프로젝트 개요==
 === 기술개발 과제 ===
-''' 국문 : ''' Density Functional Theory 계산을 통한 화합물 전력 반도체 물질 GaN의 Band gap과 Density of State에 대한 연구
+''' 국문 : ''' Density Functional Theory(DFT) 계산을 통한 화합물 전력 반도체 물질 GaN의 Band gap과 Density of State에 대한 연구
 ''' 영문 : ''' Study of the band structure and density of state of doped GaN using Density Functional Theory

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 =====2. band gap 계산 결과=====
-앞서 구성한 super cell을 안정화하고 이때의 single point charge dnesity를 계산하였다. 고정된 charge density 조건에서 non-self consistent 계산을 수행했다. DFT이론 기반 VASP로 Band gap 계산을 수행한 결과를 아래 그래프에 나타내었다.
+앞서 구성한 super cell을 안정화하고 이때의 single point charge density를 계산하였다. 고정된 charge density 조건에서 non-self consistent 계산을 수행했다. DFT 이론 기반 VASP로 Band gap 계산을 수행한 결과를 아래 그래프에 나타내었다.
-[[파일:GaN bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:GaN bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Band Structure of GaN]]
-[[파일:GaN-Be bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:GaN-Be bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Band Structure of Be-doped GaN]]
-[[파일:GaN-Mg bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:GaN-Mg bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Band Structure of Mg-doped GaN]]
-[[파일:GaN-C bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:GaN-C bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Band Structure of C-doped GaN]]
-[[파일:GaN-Si bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:GaN-Si bandgap.jpg|400픽셀|섬네일|가운데|Band Structure of Si-doped GaN]]
-[[파일:Band gap table.jpg |600픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:Band gap table.jpg |600픽셀|섬네일|가운데|Table 2. Band gap of doped GaN]]

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 [[파일:GaN doping structure.jpg |400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
-[[파일:Doping table.jpg |400픽셀|섬네일|가운데|Super cell of doped GaN]]
+[[파일:Doping table.jpg |400픽셀|섬네일|가운데|Table 1. n-dopants and p-dopants]]
 =====2. band gap 계산 결과=====