Energy Solution - 편집 역사

21che3: /* 포스터 */

2021-12-14T11:52:04Z

‎포스터

21che3: /* 포스터 */

2021-12-14T11:50:17Z

‎포스터

21che3: /* 실험 결과 및 분석 */

2021-12-14T07:29:05Z

‎실험 결과 및 분석

21che3: /* 실험 결과 및 분석 */

2021-12-14T07:26:29Z

‎실험 결과 및 분석

21che3: /* 실험 결과 및 분석 */

2021-12-14T07:19:41Z

‎실험 결과 및 분석

21che3: /* 향후계획 */

2021-12-14T07:17:15Z

‎향후계획

21che3: /* 향후계획 */

2021-12-14T07:15:50Z

‎향후계획

21che3: /* 완료작품의 평가 */

2021-12-14T06:59:00Z

‎완료작품의 평가

21che3: /* 실험 결과 및 분석 */

2021-12-14T06:48:09Z

‎실험 결과 및 분석

21che3: /* 실험 결과 및 분석 */

2021-12-14T06:26:03Z

‎실험 결과 및 분석

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 ====포스터====
-[[파일:ES포스터.pdf|1000픽셀|가운데|]]
+[[파일:ES포스터.jpg|1000픽셀|가운데|]]
 ===완료작품의 평가===

@@ 366번째 줄: / 366번째 줄: @@
 ====포스터====
-[[파일:ES포스터.jpg|1000픽셀|가운데|]]
+[[파일:ES포스터.pdf|1000픽셀|가운데|]]
 ===완료작품의 평가===

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 exf-G> CNT> rGO> GC 순으로 R<sub>ct</sub>가 낮게 나타났다.
-마지막으로 각 재료별로 Open Circuit Model이 다른 요소를 가지는 이유에 대해 분석하겠다. GC와 CNT의 Open Circuit Model은 Fig.23과 같다. GC와 CNT의 Nyquist plot이 이상적인 capacitance로 표현되지 않기 때문에 imperfect capacitance인 Q로 표현된다. Capacitance로 표현되지 않는 원인은 다양하고 정확하게 규명하기가 어렵다. 하지만 전극의 2D uniformity가 확보되지 않은 것이 대표적인 원인중 하나이다. Q와 C의 유사성은 n값을 통해 알 수 있다. n>0.9일 경우 Q를 C로 판단해도 무방하다. 따라서 CNT의 경우 n<sub>2</sub>가 0.937이므로 capacitance로 봐도 무방하지만 GC의 경우 n<sub>2</sub>가 0.783이므로 capacitance로 고려하기 힘들다. exf-G와 rGO의 Open Circuit Model은 각각 Fig.22,24와 같다.이때, exf-G와 rGO에서 diffusion항인 O가 나타났다. diffusion layer는 전극 표면에서 일어나는 반응속도가 물질전달속도보다 빠를 경우에 나타난다. RDE를 사용할 경우 물질전달속도가 빨라져 diffusion layer가 나타나지 않지만, exf-G와 rGO는 LSV에서 확인했듯이 반응속도상수가 상대적으로 높아 표면의 반응속도가 RDE를 통한 물질전달속도보다 빨라서 finite length diffusion layer가 발생했다.
+마지막으로 각 재료별로 Open Circuit Model이 다른 요소를 가지는 이유에 대해 분석하겠다. GC와 CNT의 Open Circuit Model은 Fig.23과 같다. GC와 CNT의 Nyquist plot이 이상적인 capacitance로 표현되지 않기 때문에 imperfect capacitance인 Q로 표현된다. Capacitance로 표현되지 않는 원인은 다양하고 정확하게 규명하기가 어렵다. 하지만 전극의 2D uniformity가 확보되지 않은 것이 대표적인 원인 중 하나이다. Q와 C의 유사성은 n값을 통해 알 수 있다. n>0.9일 경우 Q를 C로 판단해도 무방하다. 따라서 CNT의 경우 n<sub>2</sub>가 0.937이므로 capacitance로 봐도 무방하지만 GC의 경우 n<sub>2</sub>가 0.783이므로 capacitance로 고려하기 힘들다. exf-G와 rGO의 Open Circuit Model은 각각 Fig.22,24와 같다.이때, exf-G와 rGO에서 diffusion항인 O가 나타났다. diffusion layer는 전극 표면에서 일어나는 반응속도가 물질전달속도보다 빠를 경우에 나타난다. RDE를 사용할 경우 물질전달속도가 빨라져 diffusion layer가 나타나지 않지만, exf-G와 rGO는 LSV에서 확인했듯이 반응속도상수가 상대적으로 높아 표면의 반응속도가 RDE를 통한 물질전달속도보다 빨라서 finite length diffusion layer가 발생했다.
 ====포스터====

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 k<sub>0</sub>의 경향성은 onset potential을 통해 확인해볼 수 있다.
-[[파일:rpm.png|700픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.16 900 rpm에서 측정한 각 소재별 LSV그래프]]
+[[파일:rpm.png|600픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.16 900 rpm에서 측정한 각 소재별 LSV그래프]]
-[[파일:rpm2.png|700픽셀|섬네일|가운데|Fig.17 900 rpm에서 측정한 각 소재별 onset potential]]
+[[파일:rpm2.png|600픽셀|섬네일|가운데|Fig.17 900 rpm에서 측정한 각 소재별 onset potential]]
 반응속도는 활성화에너지가 작을 수록 크다. 전기화학 영역에서는 활성화에너지가 onset potential로서 표현될 수 있다. 따라서 k<sub>0</sub>가 가장 큰 소재인 rGO가 가장 낮은 onset potential을 가지며 exf-G, CNT, GC 순으로 전류가 나타나는 potential의 크기가 증가한다.

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-[[파일:GC600.png|600픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.16 GC EIS]] [[파일:RGO600.png|600픽셀|섬네일|가운데|Fig.17 rGO EIS]]
+[[파일:GC600.png|600픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.18 GC EIS]] [[파일:RGO600.png|600픽셀|섬네일|가운데|Fig.19 rGO EIS]]
-[[파일:Cnt600.png|600픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.18 CNT EIS]] [[파일:Exf600.png|600픽셀|섬네일|가운데|Fig.19 exf-G EIS]]
+[[파일:Cnt600.png|600픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.20 CNT EIS]] [[파일:Exf600.png|600픽셀|섬네일|가운데|Fig.21 exf-G EIS]]
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-[[파일:GC,CNT circuit.png|400픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.20 GC와 CNT의 open circuit model]]
+[[파일:GC,CNT circuit.png|400픽셀|섬네일|왼쪽|Fig.23 GC와 CNT의 open circuit model]]
-[[파일:RGO_OCV.png|400픽셀|섬네일|가운데|Fig.21 rGO open circuit model]]
+[[파일:RGO_OCV.png|400픽셀|섬네일|가운데|Fig.24 rGO open circuit model]]
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 exf-G> CNT> rGO> GC 순으로 R<sub>ct</sub>가 낮게 나타났다.
-마지막으로 각 재료별로 Open Circuit Model이 다른 요소를 가지는 이유에 대해 분석하겠다. GC와 CNT의 Open Circuit Model은 Fig.~과 같다. GC와 CNT의 Nyquist plot이 이상적인 capacitance로 표현되지 않기 때문에 imperfect capacitance인 Q로 표현된다. Capacitance로 표현되지 않는 원인은 다양하고 정확하게 규명하기가 어렵다. 하지만 전극의 2D uniformity가 확보되지 않은 것이 대표적인 원인중 하나이다. Q와 C의 유사성은 n값을 통해 알 수 있다. n>0.9일 경우 Q를 C로 판단해도 무방하다. 따라서 CNT의 경우 n<sub>2</sub>가 0.937이므로 capacitance로 봐도 무방하지만 GC의 경우 n<sub>2</sub>가 0.783이므로 capacitance로 고려하기 힘들다. rGO와 exf-G의 Open Circuit Model은 Fig.~과 같다.이때, rGO와 exf-G에서 diffusion항인 O가 나타났다. diffusion layer는 전극 표면에서 일어나는 반응속도가 물질전달속도보다 빠를 경우에 나타난다. RDE를 사용할 경우 물질전달속도가 빨라져 diffusion layer가 나타나지 않지만, rGO와 exf-G는 LSV에서 확인했듯이 반응속도상수가 상대적으로 높아 표면의 반응속도가 RDE를 통한 물질전달속도보다 빨라서 finite length diffusion layer가 발생했다.
+마지막으로 각 재료별로 Open Circuit Model이 다른 요소를 가지는 이유에 대해 분석하겠다. GC와 CNT의 Open Circuit Model은 Fig.23과 같다. GC와 CNT의 Nyquist plot이 이상적인 capacitance로 표현되지 않기 때문에 imperfect capacitance인 Q로 표현된다. Capacitance로 표현되지 않는 원인은 다양하고 정확하게 규명하기가 어렵다. 하지만 전극의 2D uniformity가 확보되지 않은 것이 대표적인 원인중 하나이다. Q와 C의 유사성은 n값을 통해 알 수 있다. n>0.9일 경우 Q를 C로 판단해도 무방하다. 따라서 CNT의 경우 n<sub>2</sub>가 0.937이므로 capacitance로 봐도 무방하지만 GC의 경우 n<sub>2</sub>가 0.783이므로 capacitance로 고려하기 힘들다. exf-G와 rGO의 Open Circuit Model은 각각 Fig.22,24와 같다.이때, exf-G와 rGO에서 diffusion항인 O가 나타났다. diffusion layer는 전극 표면에서 일어나는 반응속도가 물질전달속도보다 빠를 경우에 나타난다. RDE를 사용할 경우 물질전달속도가 빨라져 diffusion layer가 나타나지 않지만, exf-G와 rGO는 LSV에서 확인했듯이 반응속도상수가 상대적으로 높아 표면의 반응속도가 RDE를 통한 물질전달속도보다 빨라서 finite length diffusion layer가 발생했다.
 ====포스터====

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−	이번 실험을 바탕으로 탄소나노소재에 이종원소 도핑 등 다양한 후처리 및 분석을 진행할 예정이다. 이때, ~~k0가~~ 가장 높고 후처리하기 용이한 rGO를 ~~사용하는 것이 다람쥐할것이다~~.	+	이번 실험을 바탕으로 탄소나노소재에 이종원소 도핑 등 다양한 후처리 및 분석을 진행할 예정이다. 이때, k<sub>0</sub>가 가장 높고 후처리하기 용이한 rGO를 사용할 것이다.

	==출처==		==출처==

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 ===향후계획===
-배낭 메고 여행이나 갈까~~
 ==출처==

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361번째 줄:		361번째 줄:

	exf-G> CNT> rGO> GC 순으로 R<sub>ct</sub>가 낮게 나타났다.		exf-G> CNT> rGO> GC 순으로 R<sub>ct</sub>가 낮게 나타났다.
		+
		+	마지막으로 각 재료별로 Open Circuit Model이 다른 요소를 가지는 이유에 대해 분석하겠다. GC와 CNT의 Open Circuit Model은 Fig.~과 같다. GC와 CNT의 Nyquist plot이 이상적인 capacitance로 표현되지 않기 때문에 imperfect capacitance인 Q로 표현된다. Capacitance로 표현되지 않는 원인은 다양하고 정확하게 규명하기가 어렵다. 하지만 전극의 2D uniformity가 확보되지 않은 것이 대표적인 원인중 하나이다. Q와 C의 유사성은 n값을 통해 알 수 있다. n>0.9일 경우 Q를 C로 판단해도 무방하다. 따라서 CNT의 경우 n<sub>2</sub>가 0.937이므로 capacitance로 봐도 무방하지만 GC의 경우 n<sub>2</sub>가 0.783이므로 capacitance로 고려하기 힘들다. rGO와 exf-G의 Open Circuit Model은 Fig.~과 같다.이때, rGO와 exf-G에서 diffusion항인 O가 나타났다. diffusion layer는 전극 표면에서 일어나는 반응속도가 물질전달속도보다 빠를 경우에 나타난다. RDE를 사용할 경우 물질전달속도가 빨라져 diffusion layer가 나타나지 않지만, rGO와 exf-G는 LSV에서 확인했듯이 반응속도상수가 상대적으로 높아 표면의 반응속도가 RDE를 통한 물질전달속도보다 빨라서 finite length diffusion layer가 발생했다.

	====포스터====		====포스터====

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	[[파일:Rct.png\|900픽셀\|섬네일\|가운데\|Table.2 각 탄소나노소재의 EIS 결과값]]		[[파일:Rct.png\|900픽셀\|섬네일\|가운데\|Table.2 각 탄소나노소재의 EIS 결과값]]
		+
		+
		+	Table.2에서 가장 반응에 주요하게 작용하는 요소는 R<sub>ct</sub>이다. 왜냐하면 R<sub>ct</sub>는 V<sup>4+</sup>와 V<sup>5+</sup>가 전자를 주고받을 때 발생하는 저항을 의미하기 때문이다. 따라서 R<sub>ct</sub>가 작을수록 반응이 잘 일어난다고 볼 수 있다.
		+
		+	exf-G> CNT> rGO> GC 순으로 R<sub>ct</sub>가 낮게 나타났다.

	====포스터====		====포스터====