PQD - 편집 역사

Uosche25212: /* 구성원 소개 */

2025-12-04T08:15:11Z

‎구성원 소개

2025-12-04T08:14:40Z

‎특허 출원 내용

2025-12-04T08:14:24Z

‎향후계획

2025-12-04T08:13:21Z

‎완료작품의 평가

2025-12-04T08:12:42Z

‎관련사업비 내역서

2025-12-04T08:11:02Z

‎개발과제 핵심 결과

2025-12-04T08:09:33Z

‎개발과제 핵심 결과

2025-12-04T08:04:44Z

‎개발과제 핵심 결과

2025-12-04T08:01:13Z

‎개발과제 핵심 결과

2025-12-04T07:59:23Z

‎개발과제 핵심 결과

@@ 17번째 줄: / 17번째 줄: @@
 ===구성원 소개===
-서울시립대학교 화학공학과 2022340051 유미(팀장)
+서울시립대학교 화학공학과 20223400** 유*(팀장)
-서울시립대학교 화학공학과 2018340042 정재환
+서울시립대학교 화학공학과 20183400** 정*환
-서울시립대학교 화학공학과 2020340048 최현준
+서울시립대학교 화학공학과 20203400** 최*준
 ==서론==

← 이전 판		2025년 12월 4일 (목) 08:14 판
256번째 줄:		256번째 줄:

	◇ Bina Chaudhary, Yuwaraj K Kshetri, Hak-Soo Kim, Soo Wohn Lee and Tae-Ho Kim(2021). Current status on synthesis, properties and applications of CsPbX3 (X = Cl, Br, I) perovskite quantum dots/nanocrystals, Nanotechnology, 32(5).		◇ Bina Chaudhary, Yuwaraj K Kshetri, Hak-Soo Kim, Soo Wohn Lee and Tae-Ho Kim(2021). Current status on synthesis, properties and applications of CsPbX3 (X = Cl, Br, I) perovskite quantum dots/nanocrystals, Nanotechnology, 32(5).
−
−	~~===특허 출원 내용===~~
−	내용

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 ◇ PQD는 밴드갭 조절이 용이하여 실리콘과 결합한 탠덤(Tandem) 구조를 통해 30% 이상의 초고효율을 달성하였으며, 안정성 증진 및 상용화 기술의 개발이 과제로 남아있다. ITRPV(2025)에 따르면, 2027년에는 페로브-Si(TOPCon)가 전체 탠덤 태양전지 시장의 99%를 점유할 것으로 보이며, 2035년에는 페로브-페로브 탠덤이 약 11%의 점유율을 차지하면서, 시장이 점차 양분화될 것으로 전망하고 있다.(VDMA(2025), International Technology Roadmap for Photovoltaic (ITRPV) 16th Edition)
-===향후계획===
+==참고문헌==
-내용
+◇ Manuel A. Reus, Ahmed Krifa, Quinten A. Akkerman, Alexander Biewald, Zehua Xu, David P. Kosbahn, … Peter Müller-Buschbaum(2023). Layer-By-Layer Printed Metal Hybrid (Cs:FA)PbI3 Perovskite Nanocrystal Solar Cells. Advanced Optical Materials, 12(8).
 ===특허 출원 내용===
 내용

@@ 230번째 줄: / 230번째 줄: @@
 [[파일:캡처7.PNG]]
-===완료작품의 평가===
+===개발과제 관련 향후 전망===
-내용
 ===향후계획===

@@ 226번째 줄: / 226번째 줄: @@
 TPPO 처리를 한 cell의 경우 JSC, VOC, FF, PCE 등 다양한 지표에서 성능이 향상된 것을 확인할 수 있었다. 다만 FA+ 치환에 의한 성능 향상보다는 적은 폭으로 증가하는 양상 또한 확인된다. TPPO를 처리한 cell은 안정성 측면에서도 향상된 모습을 보였다. 하나의 cell에 존재하는 5개의 전극들 사이의 성능 편차가 크게 줄어들었다. 또한 TPPO 처리를 안한 cell보다 성능 저하의 폭도 줄었다.
-===관련사업비 내역서===
+===개발과제 평가===
-내용
 ===완료작품의 평가===

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214번째 줄:		214번째 줄:

	소자의 안정성 확인을 위해 샘플들을 하루는 air 환경에, 이틀은 진공에 보관한 후 성능을 재측정하였다.		소자의 안정성 확인을 위해 샘플들을 하루는 air 환경에, 이틀은 진공에 보관한 후 성능을 재측정하였다.
		+
		+	[[파일:캡처6.PNG]]
		+
		+
		+	◇ '''결론'''
		+
		+	*FA+ 치환의 효과
		+	FA+를 치환했을 때 JSC, VOC, FF, PCE가 전반적으로 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이때 Liquid state에서 FAI를 치환한 것보다 Solid state에서 FAI를 치환한 것이 효과가 훨씬 큰 양상이 확인된다. 또한 FA+ 치환을 한 cell들은 치환을 하지 않은 cell보다 성능 저하가 적고 더 안정적인 것을 확인할 수 있다.
		+
		+	*TPPO의 효과
		+	TPPO 처리를 한 cell의 경우 JSC, VOC, FF, PCE 등 다양한 지표에서 성능이 향상된 것을 확인할 수 있었다. 다만 FA+ 치환에 의한 성능 향상보다는 적은 폭으로 증가하는 양상 또한 확인된다. TPPO를 처리한 cell은 안정성 측면에서도 향상된 모습을 보였다. 하나의 cell에 존재하는 5개의 전극들 사이의 성능 편차가 크게 줄어들었다. 또한 TPPO 처리를 안한 cell보다 성능 저하의 폭도 줄었다.

	===관련사업비 내역서===		===관련사업비 내역서===

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 spin coating으로 QD layer를 형성한 이후 그 표면의 긴 사슬 리간드들을(OA, OLA 등) MeOAc로 washing, 제거하고 사슬이 짧은 새로운 리간드인 TPPO를 spin coating 한다.
-''1) CsPbI3'''
+'''1) CsPbI3'''
 ===관련사업비 내역서===

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 '''1) FAI solid state ligand exchange'''
-[[파일:캡처2.png]]
+[[파일:캡처1.PNG]]
 solar cell 제작을 위해 spin coating을 마친 CsPbI3 QD layer 위에 FAI를 spin coating 하는 방식으로, QD layer 표면의 일부 Cs+를 FA+로 치환하는 방법이다.
 ===관련사업비 내역서===

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180번째 줄:		180번째 줄:

	'''1) FAI solid state ligand exchange'''		'''1) FAI solid state ligand exchange'''
		+
		+	[[파일:캡처2.png]]

	solar cell 제작을 위해 spin coating을 마친 CsPbI3 QD layer 위에 FAI를 spin coating 하는 방식으로, QD layer 표면의 일부 Cs+를 FA+로 치환하는 방법이다.		solar cell 제작을 위해 spin coating을 마친 CsPbI3 QD layer 위에 FAI를 spin coating 하는 방식으로, QD layer 표면의 일부 Cs+를 FA+로 치환하는 방법이다.

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 ==결과 및 평가==
 ===개발과제 핵심 결과===
 ◇ CsPbI3 합성 결과
 [[파일:UV.png]]
-Figure(5) CsPbI3 QD가 합성되었는지 여부를 확인하기 위해 UV-vis spectrum을 측정한 결과이다. 일반적으로 CsPbI3의 흡수 edge는 680~700 nm 부근에서 확인된다. 본 과제에서 합성한 QD의 흡수 edge가 698 nm에서 관찰되므로 CsPbI3 QD가 합성되었음을 확인할 수 있고, 밴드갭이 약 1.78 eV 수준임을 확인할 수 있다.
+solar cell 제작을 위해 spin coating을 마친 CsPbI3 QD layer 위에 FAI를 spin coating 하는 방식으로, QD layer 표면의 일부 Cs+를 FA+로 치환하는 방법이다.
 ===관련사업비 내역서===